Im Rahmen der Entwicklung der neuen Energieindustrie auf Hochspannung und Hochfrequenz,Siliziumkarbid (SiC) -Technologie zur Integration von Leistungsmodulen wird zur zentralen Innovationsrichtung von LeistungselektroniksystemenDurch synergistische Durchbrüche in den Materialeigenschaften und Verpackungsprozessen verändert diese Technologie die Leistungsgrenzen von Energieumwandlungsanlagen.Diese Arbeit wird den innovativen Wert der Integration von Siliziumkarbid-Leistungsmodulen aus drei Dimensionen technischer Vorteile analysieren, Anwendungspraxis und Industrieentwicklung.

1Die Effizienz des Systems und die Leistungsdichte werden deutlich verbessert.
Verbesserte Hochfrequenzbetriebsfähigkeit
Das integrierte Design unterstützt Hochfrequenzschalter über 100 kHz, indem es die parasitäre Induktivität reduziert (die auf unter 5nH optimiert werden kann).der Schaltverlust des Siliziumcarbid-Leistungsmoduls um mehr als 70% reduziert wird, so dass die Umwandlungseffizienz des Photovoltaik-Wechselrichters 99% übersteigt.

Optimierung von Volumen und Gewicht
Das integrierte Modul verwendet eine zweiseitige Wärmeablösung (z. B. IPM-Paket) und eine dreidimensionale Stapeltechnologie.die die Leistungsdichte auf 50 W/cm3 erhöht und das Volumen im Vergleich zu traditionellen Lösungen um 40% reduziertSo wird beispielsweise die Größe des TOLL-Pakets um 30% reduziert, was besonders für Mikro­Wechselrichter und Bordladesysteme geeignet ist9.

2Zuverlässigkeit und Lebensdauerverlängerung
Durchbruch im thermischen Management
Das integrierte Modul führt AMB (Active Metal Brazing) und Silbersinterungsprozesse ein, wodurch der Wärmewiderstand um 30% reduziert und der Betriebstemperaturverträglichkeitsbereich auf -55°C~175°C verlängert wird.Zum Beispiel:, kann die Silikonkarbidbootstütze bei der Herstellung von Photovoltaikzellen einer Temperatur von 1600 °C standhalten, und die Lebensdauer wird auf mehr als 1 Jahr verlängert98.

Verbesserte Störungsbekämpfung
Ein integrierter Antriebsschaltkreis und eine elektromagnetische Abschirmungsschicht, die die Spannungsmutation von 100 kV/μs dv/dt wirksam hemmt, elektromagnetische Interferenzen (EMI) um 20 dB reduziert,die Anforderungen an die Automobilelektronik der Norm ISO 7637 46 erfüllen.

3Koordinierung der Industriekette und Kostenoptimierung
Wirkung der Kostenreduzierung im Maßstab
Das integrierte Modul verbessert die Materialnutzung um 25% durch die gemeinsame Entwicklung von Chip-Packages.und der Preis für voll integrierte Module wird voraussichtlich nahe 10,8 mal so hoch wie bei Silizium-basierten IGBTs im Jahr 2026.

Einfache Installation und Wartung
Die integrierte Konstruktion reduziert die Schweißpunkte um 50% und die Leitergurtlänge um 30% und die Montagezeit der Geräte um 60%.Die Ausfallrate des Hauptantriebsinversors von Fahrzeugen mit neuem Energieverbrauch wurde von 0 reduziert.0,3% bis 0,05%58.

4- Erweiterung der Anwendungsfälle
Anpassungsfähigkeit der Hochspannungsplattform
Das integrierte Modul mit einer Spannung von 1700 V wurde mit dem Photovoltaiksystem mit einer Spannung von 1500 V abgestimmt, das eine Überladungskraft von 480 kW unterstützt und den Leitungsverlust um 12% reduziert.

Anpassungsfähigkeit an harte Umgebungen
Nach 10 Jahren beschleunigter Alterung (hohe Temperatur/hohe Luftfeuchtigkeit/Salzspray) beträgt die Ausfallrate weniger als 0,1%/tausend Stunden.geeignet für Wüstenphotovoltaikanlagen und Offshore-Windkraftanlagen98.

Technologische Entwicklung
Heterogene Integration: Das von Tesla vorgeschlagene Hybridmodul "Silizium + Siliziumkarbid" erhöht die Kosten nur um 50-60%, aber die Effizienz ist deutlich verbessert,und wurde im Pilot-Energiespeichersystem angewendet9
Intelligente Integration: Eingebaute Temperatur-/Stromsensoren und Selbstdiagnosen ermöglichen eine vorausschauende Wartung und reduzieren die Ausfallzeiten von Geräten um 80%
Die Integration von Leistungsmodulen fördert die Iteration neuer Energieanlagen in Richtung "Hochfrequenz, hohe Dichte und hohe Zuverlässigkeit",und die globale Marktgröße wird voraussichtlich 80,9 Milliarden US-Dollar im Jahr 2028.